OSI的光电提供了两种紫外增强型硅光电二极管截然不同的的家庭。反转通道串联和平面扩散系列。的器件这两个系列是专为在的电磁波谱紫外区低噪声检测。逆温层结构紫外增强光敏展出100 ％内部量子效率和有丰富经验的弱光测量的理想选择。他们有较高的分流电阻，低噪音，高击穿电压。在表面和量子效率的响应均匀提高5至10伏的应用反向偏压。 Photocureent非线性集在反演层相比，扩散的产品低光电流。低于700nm之间，其响应度随温度不大。

平面扩散结构(紫外线- D系列)紫外线增强光电二极管显示显着的优势超过逆温层设备，如低电容和更高的响应时间。这些器件表现出线性度的光电流最多较高的响应时间。这些器件展出线性的光电流至更高的光输入功率相比，逆温层器件。他们有相对较低的响应度和量子效率相比，逆温层设备。

有两种类型的平面扩散紫外线增强光电二极管可用： UVD技术和机UVE 。这两个系列都几乎相同的光电特性，除了在机UVE系列，其中的设备近红外反应被抑制。这是特别可取的，如果堵住了光谱近红外区是必要的。 UVD技术设备的峰值970 nm和在720 nm的(见图表)机UVE设备。这两个系列可能会偏向低电容，更快的响应和更宽的动态范围。或者，他们可以工作在光伏(无偏)需要随温度变化的低漂移的应用模式。本机UVE器件具有比的UVD设备同行更高分流电阻，但有较高的电容。这些探测器的耦合中的电流模式配置运算放大器理想如上所示；应用于：

• 脉冲检测器
• 光通信
• 条码阅读器
• 光学遥感控制
• 医疗设备
• 高速光度法